晶体管
“晶体管”参数说明
| 结构形式： | PNP | 结构工艺： | 平面管 |
| 安装方式： | 贴片 | 材料： | 化合物半导体 |
| 封装形式： | 塑料封装 | 工作状态： | 放大 |
“晶体管”详细介绍
商标: ?NXP Semiconductors ?
配置: ?Single ?
晶体管极性: ?PNP ?
集电极—基极电压 VCBO: ?50 V ?
集电极—发射极最大电压 VCEO: ?45 V ?
发射极 - 基极电压 VEBO: ?5 V ?
最大直流电集电极电流: ?0.5 A ?
增益带宽产品fT: ?80 MHz ?
最大工作温度: ?+ 150 C ?
安装风格: ?SMD/SMT ?
封装 / 箱体: ?SOT-23 ?
直流集电极/Base Gain hfe Min: ?160 at 100 mA at 1 V, 40 at 500 mA at 1 V ?
直流电流增益 hFE 最大值: ?160 at 100 mA at 1 V ?
最大功率耗散: ?250 mW ?
最小工作温度: ?- 65 C ?
封装: ?Reel ?
工厂包装数量: ?3000 ?
零件号别名: ?BC T/R
配置: ?Single ?
晶体管极性: ?PNP ?
集电极—基极电压 VCBO: ?50 V ?
集电极—发射极最大电压 VCEO: ?45 V ?
发射极 - 基极电压 VEBO: ?5 V ?
最大直流电集电极电流: ?0.5 A ?
增益带宽产品fT: ?80 MHz ?
最大工作温度: ?+ 150 C ?
安装风格: ?SMD/SMT ?
封装 / 箱体: ?SOT-23 ?
直流集电极/Base Gain hfe Min: ?160 at 100 mA at 1 V, 40 at 500 mA at 1 V ?
直流电流增益 hFE 最大值: ?160 at 100 mA at 1 V ?
最大功率耗散: ?250 mW ?
最小工作温度: ?- 65 C ?
封装: ?Reel ?
工厂包装数量: ?3000 ?
零件号别名: ?BC T/R
编辑：武汉三一重工公司 时间：2018/05/11
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